型號(hào)	FE-5000S	FE-5000
測量樣品	反射測量樣品
樣品尺寸	100×100毫米	200×200毫米
測量方法	旋轉(zhuǎn)分析儀方法*1
測量膜厚范圍（ND）	0.1納米-
入射（反射）的角度范圍	45至90°	45至90°
入射（反射）的角度驅(qū)動(dòng)方式	自動(dòng)標(biāo)志桿驅(qū)動(dòng)方法
入射點(diǎn)直徑*2	關(guān)于φ2.0	關(guān)于φ1.2sup*3
tanψ測量精度	±0.01以下
cosΔ測量精度	±0.01以下
薄膜厚度的可重復(fù)性	0.01％以下*4
測定波長范圍*5	300至800納米	250至800納米
光譜檢測器	多色儀（PDA，CCD）
測量用光源	高穩(wěn)定性氙燈*6
平臺(tái)驅(qū)動(dòng)方式	手動(dòng)	手動(dòng)/自動(dòng)
裝載機(jī)兼容	不可	可
尺寸，重量	650（W）×400（D）×560（H）mm 約50公斤	1300（W）×900（D）×1750（H）mm 約350公斤*7
軟件
分析	最小二乘薄膜分析（折射率模型函數(shù)，Cauchy色散方程模型方程，nk-Cauchy色散模型分析等）理論方程分析（體表面nk分析，角度依賴同時(shí)分析）

*1可以驅(qū)動(dòng)偏振器，可以分離不感帶有效的位相板。
*2取決于短軸?角度。
*3對應(yīng)微小點(diǎn)（可選）
*4它是使用VLSI標(biāo)準(zhǔn)SiO2膜（100nm）時(shí)的值。
*5可以在此波長范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。
*6光源因測量波長而異。
*7選擇自動(dòng)平臺(tái)時(shí)的值。

測量示例

以梯度模型分析ITO結(jié)構(gòu)[FE-0006]

作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO（氧化銦錫），在成膜后的退火處理（熱處理）可改善其導(dǎo)電性和色調(diào)。此時(shí)，氧氣狀態(tài)和結(jié)晶度也發(fā)生變化，但是這種變化相對于膜的厚度是逐漸變化的，不能將其視為具有光學(xué)均勻組成的單層膜。
以下介紹對于這種類型的ITO，通過使用梯度模型，從上界面和下界面的nk測量斜率。

橢偏儀 FE-5000/5000S

考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]

當(dāng)樣品表面存在粗糙度（Roughness）時(shí)，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模擬為“粗糙層"，可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況。

使用非干涉層模型測量封裝的有機(jī)EL材料[FE-0011]

有機(jī)EL材料易受氧氣和水分的影響，并且在正常大氣條件下它們可能會(huì)發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此，在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。

橢偏儀 FE-5000/5000S

使用多點(diǎn)相同分析測量未知的超薄nk[FE-0014]

為了通過擬合最小二乘法來分析膜厚度值（d）需要材料nk。如果nk未知，則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而，在d為100nm或更小的超薄膜的情況下，d和nk是無法分離的，因此精度將降低并且將無法求出精確的d。在這種情況下，測量不同d的多個(gè)樣本，假設(shè)nk是相同的，并進(jìn)行同時(shí)分析（多點(diǎn)相同分析），則可以高精度、精確地求出nk和d。

橢偏儀 FE-5000/5000S